台积电公布2nm制程，预计2025年量产
6 月 17 日消息， 在 2022 年北美技术论坛上，台积电宣布将推出下一代先进制程 2nm(N2)，预计 2025 年开始量产。另外根据台积电最新技术路线图，第一代 3nm(N3)定于下半年量产。
台积电方面表示，N2 将采用纳米片电晶体架构，使效能及功耗效率提升一个世代，协助台积电客户实现下一代产品的创新。除了行动运算的基本版本，N2 技术平台也涵盖高效能版本及完备的小晶片整合解决方案。在微观结构上，N2 采用纳米片电晶体(Nanosheet)，取代 FinFET(鳍式场效应晶体管)。
据介绍，N2 技术自 N3 大幅往前推进，在相同功耗下，速度增快 10％至 15％；在相同速度下，功耗也降低 25％至 30％，开启了高效效能的新纪元。台积电称将在各种产品上应用 N2 制程，例如移动设备 SoC（集成系统芯片）、高性能 CPU 与显卡等。
据日经亚洲此前报道，2nm 芯片将用于量子计算机、数据中心和尖端智能手机等产品。这些芯片还能减少电力消耗，减少碳足迹。芯片的大小也可以决定战斗机和导弹等军事装备的性能。
台积电总裁魏哲家称，半导体业身处快速变动、高速成长的数字世界，对于运算能力与能源效率的需求较以往增加的更快，为半导体产业开启了前所未有的机会与挑战。在此令人兴奋的转型与成长之际，台积电在技术论坛揭示的创新成果彰显公司的技术领先地位，也代表公司支持客户的承诺。
事实上，早在 2020 年，就有媒体爆出台积电 2nm 制程技术消息。
2020 年 9 月，美通社援引台媒称，台积电 2nm 制程研发获突破。区别于 3nm 与 5nm 采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电 2nm 改采用全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，此种架构能解决 FinFET 因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，研发进度超前。以台积电 2nm 目前的研发进度研判，供应链预计台积电 2023 年下半年可望进入风险性试产，2024 年正式量产。有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单。
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